センターの理念
1. 研究： 新たに開発されるデバイスを実用化するために不可欠なコンパクトモ デルの開発、及びデバイス・回路開発に向けた測定・シミュレーション技術に関わる研究の先導2. 教育： デバイス物理に基づいたキャリア輸送原理の習得と、これを応用し発 展させる高度な能力と技術を持った人材、及びモデルユーザーをサポートできる人材の育成
報道・広報
2015年 2月 「完全空乏型SOI MOSFETテクノロジー向けの新しいSPICE標準モデル」 （ Business Wire ）
2012年 8月 「和製トランジスタ・モデルのHiSIM、SOIで三つめの国際標準をゲット」（日経Tech-On!）
「広島大開発トランジスタモデル、SOI世界標準に」（中国新聞）
「回路設計用トランジスタモデル、事実上の業界標準に」（日刊工業新聞）
2011年 4月 HiSIM2がCMC標準化を達成 （STARC-news release)
2010年 5月 広島大が計算式考案：トヨタなどと「エコカー開発に有用」 （中国新聞）
燃費向上回路モデル：広大とトヨタ共同開発 （読売新聞）
「世界初の実用モデルHiSIM-IGBTが誕生」－記者会見の模様 （広島大学先端物質科学研究科）
2009年11月 HiSIM研究センター、中国文化賞を受賞 （中国新聞）
2008年 7月 HiSIM-LDMOSが国際標準モデルへ （日経Tech-On）
2008年 3月 国際標準モデル「HiSIM-LDMOS」が「HiSIM_HV」に進化、対称型デバイスに対応 （日経Tech-On）
2008年 3月 今月のキーワードHiSIM （日経MICRODEVICES)
2008年 3月 Transistor Model as International Standard （Niikei Electronics Asia）
2008年 3月 三浦教授ら "THE PHYSICS AND MODELING OF MOSFETS, Surface-Potential Model HiSIM" を出版 (World Scientific Publishing. Co.)
2008年 1月 今度は「和製」が勝利、HiSIM-LDMOSが国際標準モデルへ （日経Tech-On)
2008年 1月 HiSIM-LDMOS Choosen as International Standard Model (Hiroshima University)
2007年 STARC and Simucad to Add HiSIM Model to Enhance Prototype Shuttle Service （SYS-CON MEDIA）
2007年 HiSIM LDMOS Surface Potential-Based LDMOS Compact Model （SIMUCAD）
2007年 3月 マグマ社製FineSim SPICE、STARCのHiSIMモデルをサポートし、20倍高速の回路シミュレーション、
シリコンに対してほぼ完全なコリレーションを実証 （MAGMA）
2007年 3月 国産トランジスタ・モデル「HiSIM」、国際標準に向けて再起動 （日経Tech-On）
2007年 1月 「和製トランジスタ・モデルをサポートへ」、米AnsoftがLSI設計進出の駒を進める （日経Tech-On）
2005年 5月 和製トランジスタ・モデル「HiSIM」を推す理由、米Silvaco社長が熱弁 （日経Tech-On）
2005年 4月 シルバコ、CMCモデル標準化に向けてHiSIM-RF表面ポテンシャル・モデルのサポートを完了 （SILVACO news）
2005年 4月 米Silvacoと広島大、HiSIM-RFモデルをSPICEに結合 （日経Tech-On）
2005年 4月 HiSIM-RF Surface Potential Model Ready for CMC Standardization （SILVACO news）
